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申请/专利权人：西安交通大学
申请日：2022-04-28
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN114695015B
主分类号：H01H33/664
分类号：H01H33/664
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.07.19#实质审查的生效;2022.07.01#公开
摘要：本发明公开了一种基于海尔贝克永磁体纵向磁场的真空灭弧室，包括环形海尔贝克永磁体结构；所述环形海尔贝克永磁体结构为多个永磁体按照直线型海尔贝克阵列环绕一周形成；多个所述环形海尔贝克永磁体结构沿竖直方向套设在真空灭弧室的灭弧室外壳上形成多层海尔贝克永磁体结构，多个所述环形海尔贝克永磁体结构作用于静端电极触头和动端电极触头之间的电弧产生位置，用于给真空灭弧室提供纵向强磁场。能够在灭弧室中心区域提供超过100mT的纵向磁场。磁体套装在灭弧室外部，不会影响其内部的真空环境，还可以根据动触头动作情况上下滑动，跟随电弧中心位置，提供最有效的磁场分布。
主权项：1.一种基于海尔贝克永磁体纵向磁场的真空灭弧室，其特征在于，包括环形海尔贝克永磁体结构1；所述环形海尔贝克永磁体结构1包括多个永磁体，多个永磁体按照直线型海尔贝克阵列环绕一周设置；多个所述环形海尔贝克永磁体结构1沿竖直方向套设在真空灭弧室的灭弧室外壳4上形成多层海尔贝克永磁体结构，多个所述环形海尔贝克永磁体结构1作用于静端电极触头7和动端电极触头10之间的电弧产生位置，用于给真空灭弧室提供纵向强磁场；所述多层海尔贝克永磁体结构的层数为三层、四层、五层或六层；多个所述环形海尔贝克永磁体结构1之间紧密贴合，相邻两层的环形海尔贝克永磁体结构1中的永磁体进行错位设置；所述环形海尔贝克永磁体结构1的表面设置有镀层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种基于海尔贝克永磁体纵向磁场的真空灭弧室
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