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申请/专利权人：中国计量大学
申请日：2024-01-24
公开（公告）日：2024-05-14
公开（公告）号：CN118028740A
主分类号：C23C14/06
分类号：C23C14/06;C23C14/02;C23C14/22;C23C14/54
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开
摘要：本发明公开了一维与二维碲纳米结构的自下而上式可控制备方法。所述方法以Si111、云母、SiO2等作为衬底，碲的前驱体为颗粒状单质，通过物理气相沉积和分子束外延的自下而上式生长方法沉积在具有特定温度的衬底表面，获得具一维与二维碲纳米结构。本发明可用多种材料作衬底且可调节沉积时的衬底温度实现一维与二维碲纳米结构的可控制备，制得的低维碲在电子器件中具有潜在应用价值。
主权项：1.一维与二维碲纳米结构的自下而上式可控制备方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤1，将Si111、云母、SiO2切割成1×1cm2的表面用作衬底，对Si111、云母、SiO2衬底依次使用异丙醇、无水乙醇、去离子水各自超声清洗三分钟，去除表面的杂质，得到洁净的Si111、云母、SiO2衬底；步骤2，以颗粒状单质碲为前驱体，在洁净的Si111、云母衬底上通过物理气相沉积法沉积碲原子，衬底温度设置为543K、573K或633K时得到的产物分别是一维碲纳米线、一维碲纳米棒和二维碲纳米片。以颗粒状单质碲为前驱体，在洁净的SiO2衬底上通过分子束外延法沉积碲原子，衬底温度设置为120K或400K得到的产物分别是二维碲薄膜和一维碲纳米线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国计量大学 一维与二维碲纳米结构的自下而上式可控制备方法
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