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一种NBTI效应作用下的数字集成电路时序分析方法和装置 

申请/专利权人:西安电子科技大学

申请日:2024-01-29

公开(公告)日:2024-05-14

公开(公告)号:CN118036526A

主分类号:G06F30/3312

分类号:G06F30/3312;G06F30/367;G06F30/327;G06F119/04

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开

摘要:本发明公开了一种NBTI效应作用下的数字集成电路时序分析方法和装置,包括针对数字电路每个种类的单元,利用预设数量个针对单元单输入端的信号概率采样值确定输入信号概率组合并在各输入信号概率组合下建立老化单元库;针对每个种类单元建立的老化单元库中各timingarc下不同时序模型分别建立老化相关参数和老化结果的映射关系;针对需要仿真的每条路径,确定其中每个单元的状态信息、输入的信号概率、输入信号转换时间、输出信号负载电容和timingarc信息以及对应的映射关系,将相关数据代入对应的映射关系中得到延迟值和输出信号转换时间;将该路径中所有单元的延迟值累加得到整体时序信息;本发明能够降低成本和复杂度,提高实际应用中NBTI效应仿真分析的效率。

主权项:1.一种NBTI效应作用下的数字集成电路时序分析方法,其特征在于,包括:针对数字电路选用的每个种类的单元,利用预设数量个针对单元单输入端的信号概率采样值,确定该种类单元的所有输入信号概率组合,并在该种类单元的各输入信号概率组合下分别建立老化单元库;针对每个种类单元建立的老化单元库中各时序弧timingarc下不同的时序模型,分别建立一个老化相关参数和老化结果的映射关系;其中,timingarc对应单元的一组输入和输出关系;所述老化相关参数包括输入信号概率组合、输入信号转换时间和输出信号负载电容;所述老化结果以时序模型数据表示;确定所述数字电路中需要进行仿真的多条路径;针对每条路径,确定该路径中每个单元的状态信息和输入的信号概率;对该路径中依次出现的每个单元,确定该单元的输入信号转换时间、输出信号负载电容和timingarc信息;基于该单元的状态信息和所述timingarc信息确定对应的映射关系,将该单元的输入信号转换时间、输出信号负载电容和该单元输入的信号概率,代入所述对应的映射关系中,得到延迟值和输出信号转换时间;将该路径中依次出现的所有单元的延迟值累加得到该路径的整体时序信息;其中,所述状态信息包括上升状态或下降状态;该路径上前一单元的输出信号转换时间作为下一单元的输入信号转换时间。

全文数据:

权利要求:

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