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申请/专利权人：湖北工业大学
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263141A
主分类号：H01L21/60
分类号：H01L21/60;H01L25/065;H01L23/49
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请涉及一种三维集成电路的封装方法及三维集成电路封装结构，所述封装方法包括以下步骤：在沿垂直方向堆叠的多层芯片的外侧缘构建导电通道，使导电通道将多层所述芯片的边缘引脚电性连接，其中，所述边缘引脚设置于每层所述芯片的边缘位置。本申请通过将导电通道部署在多层芯片的外侧缘，在设计芯片时，将对应的通信接口也即边缘引脚部署在芯片的边缘，芯片中间的电路设计区域不会受到损失，芯片的边缘部分通常部署的电路较少，便于边缘引脚的设计和加工，且电路设计可用面积浪费较小，同时，在多层芯片的外侧缘构建导电通道，不需要在芯片上开孔，解决了相关技术中的互连技术设计和加工方式复杂，且会导致芯片可用面积的浪费的技术问题。
主权项：1.一种三维集成电路的封装方法，其特征在于，其包括以下步骤：在沿垂直方向堆叠的多层芯片1的外侧缘构建导电通道2，使所述导电通道2将多层所述芯片1的边缘引脚11电性连接，其中，所述边缘引脚11设置于每层所述芯片1的边缘位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北工业大学 一种三维集成电路的封装方法及三维集成电路封装结构
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