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申请/专利权人：西安交通大学
申请日：2021-05-10
公开（公告）日：2024-05-24
公开（公告）号：CN113362796B
主分类号：G10K11/162
分类号：G10K11/162;G10K11/172
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.24#授权;2021.09.24#实质审查的生效;2021.09.07#公开
摘要：本发明公开了一种双向粗糙内插管式亥姆霍兹共振吸声结构，腔体的高度为20～50mm，直径为20～30mm，腔体的上表面开有小孔，小孔内设置有双向粗糙内插管，双向粗糙内插管与腔体采用胶接或焊接方式连接，腔体的下表面固定在需要声学处理的物体表面，形成双向粗糙内插管式亥姆霍兹共振吸声结构，在100～500Hz频率处的吸声系数大于0.99。本发明具有优异的低频段吸声性能、良好的承载能力以及轻量化的整体结构。在设计方面具有更多的可调控结构几何参数，可根据实际场景需求进行优化调节，并且结构简单，便于制造和组装。
主权项：1.一种双向粗糙内插管式亥姆霍兹共振吸声结构，其特征在于，包括腔体1，腔体1的高度为20～50mm，直径为20～30mm，腔体1的上表面开有小孔，小孔内设置有双向粗糙内插管2，双向粗糙内插管2的平均内半径Rn为1.5～3mm，双向粗糙内插管2的轴向相对粗糙度εa为0.15～0.25，双向粗糙内插管2的周向相对粗糙度εc为0.1～0.2，双向粗糙内插管2的周向波数βc为3～12，双向粗糙内插管2的长度为15～30mm，双向粗糙内插管2的轴向波数βa为0.5π～2π，双向粗糙内插管2与腔体1采用胶接或焊接方式连接，腔体1的下表面固定在需要声学处理的物体表面，形成双向粗糙内插管式亥姆霍兹共振吸声结构，在100～500Hz频率处的吸声系数大于0.99；双向粗糙内插管2的内壁面半径满足以下函数关系：Rz,θ＝Rn×[1+2εa×cosβa×z2Rn][1-2εc×sinβc×θ]其中，Rn为双向粗糙内插管的平均内半径，εa为双向粗糙内插管的轴向相对粗糙度，βa为双向粗糙内插管的轴向波数，z为沿双向粗糙内插管长度方向的坐标，εc为双向粗糙内插管的周向相对粗糙度，βc为双向粗糙内插管的周向波数，θ为沿双向粗糙内插管周向的坐标。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种双向粗糙内插管式亥姆霍兹共振吸声结构
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