申请/专利权人：西部数据技术公司

申请日：2020-03-21

公开（公告）日：2024-05-24

公开（公告）号：CN113167847B

主分类号：G01R33/09

分类号：G01R33/09;G01R33/00

优先权：["20190827 US 62/892,391","20191218 US 16/718,667"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.24#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：公开了一种包括一个或多个TMR传感器的隧穿磁阻TMR传感器设备。该TMR传感器设备包括：第一电阻器，该第一电阻器包括第一TMR膜；第二电阻器，该第二电阻器包括不同于该第一TMR膜的第二TMR膜；第三电阻器，该第三电阻器包括该第二TMR膜；以及第四电阻器，该第四电阻器包括该第一TMR膜。第一TMR膜包括基准层，该基准层具有与钉扎层的第二磁化方向反平行的第一磁化方向。第二TMR膜包括具有平行于第一钉扎层的第二磁化方向的第一磁化方向的基准层，以及具有与基准层的第一磁化方向和第一钉扎层的第二磁化方向反平行的第三磁化方向的第二钉扎层。

主权项：1.一种隧穿磁阻传感器设备即TMR传感器设备，所述TMR传感器设备包括：至少一个TMR传感器，所述至少一个TMR传感器包括第一TMR膜，所述第一TMR膜包括具有第一磁化方向的第一基准层和具有第二磁化方向的第一钉扎层，所述第一基准层的所述第一磁化方向与所述第一钉扎层的所述第二磁化方向反平行，其中第一钉扎层包括厚度为20埃至30埃的CoCoFeCo多层叠堆，并且其中所述第一基准层包括厚度为21埃至37埃的CoFeTaCoFeBCoFe多层叠堆；并且至少一个TMR传感器，所述至少一个TMR传感器包括第二TMR膜，所述第二TMR膜包括具有第三磁化方向的第二基准层、具有所述第三磁化方向的第二钉扎层，以及具有第四磁化方向的第三钉扎层，第二基准层和第二钉扎层的第三磁化方向与第三钉扎层的第四磁化方向反平行，其中所述第二钉扎层包括厚度为20埃至30埃的CoCoFeCo多层叠堆，其中第三钉扎层包括厚度为35埃至55埃的CoCoFeCo多层叠堆，并且其中所述第二基准层包括厚度为21埃至37埃的CoFeTaCoFeBCoFe多层叠堆；其中所述第一钉扎层的所述CoCoFeCo多层叠堆的CoFe中的Co组分为25％至70％，其中所述第一基准层的该CoFeTaCoFeBCoFe多层叠堆的CoFeB中的B组分为15％至25％，其中所述第二钉扎层的所述CoCoFeCo多层叠堆的CoFe中的Co组分为25％至70％，并且其中所述第三钉扎层的所述CoCoFeCo多层叠堆的CoFe中的Co组分为25％至70％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西部数据技术公司 具有双TMR膜的磁传感器阵列

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