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申请/专利权人：东芯半导体股份有限公司
摘要：本公开提供一种提高NORFLASH存储器的配置模块数据准确性的方法、装置、存储介质及存储设备。通过设置少量的冗余字线，在配置模块中同时解决字线失效及位线失效的问题，而无需设置冗余位线，并且能够实现存储单元的一对一精准替换。该方法包括：对配置模块中的多条字线依次进行编程操作；在第一冗余字线中记录存在编程失效的存储单元即失效存储单元的字线地址作为失效字线地址；在第二冗余字线中记录失效存储单元的位线地址作为失效位线地址；以及将应当写入失效存储单元的数据写入到第三冗余字线上且与失效位线地址相对应的存储单元来作为失效存储单元的替换存储单元，在对配置模块中的多条字线依次进行数据读取时，用第三冗余字线上的替换存储单元中写入的数据来替换失效存储单元中的数据。
主权项：1.一种提高NORFLASH存储器的配置模块数据准确性的方法，所述配置模块包括：存储单元阵列，该存储单元阵列包括多条字线、多条位线、以及分别设置在所述多条字线与所述多条位线的交叉位置上的多个存储单元；以及冗余字线单元，该冗余字线单元包括多条冗余字线，所述方法包括：对所述配置模块中的所述多条字线依次进行编程操作；在第一冗余字线中记录存在编程失效的所述存储单元即失效存储单元的字线地址作为失效字线地址；在第二冗余字线中记录所述失效存储单元的位线地址作为失效位线地址；以及将应当写入所述失效存储单元的数据写入到第三冗余字线上且与所述失效位线地址相对应的所述存储单元来作为所述失效存储单元的替换存储单元，在对所述配置模块中的所述多条字线依次进行数据读取时，用所述第三冗余字线上的所述替换存储单元中写入的数据来替换所述失效存储单元中的数据。
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权利要求：
百度查询： 东芯半导体股份有限公司 提高NOR FLASH配置模块数据准确率的方法、装置、存储介质及存储设备
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