龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：一种半导体器件包括由交替的字线层和绝缘层构成的堆叠体。该堆叠体包括核心区、阶梯区以及任选的将核心区连接至阶梯区的虚设过渡区。该半导体器件还包括穿过该堆叠体从核心区穿过虚设过渡区延伸至阶梯区的栅极线GL沟槽。该GL沟槽在核心区内具有第一宽度并且在阶梯区内具有不同于第一宽度的第二宽度。该半导体器件还包括穿过核心区内的该堆叠体形成的第一沟道结构以及穿过阶梯区内的该堆叠体的至少部分形成的阶梯触点SCT。SCT连接阶梯区内的该堆叠体的字线层中的一个字线层。
主权项：1.一种半导体器件，包括：由交替的字线层和绝缘层构成的堆叠体，所述堆叠体包括核心区和连接至所述核心区的阶梯区；穿过所述堆叠体的所述字线层和所述绝缘层的一个或多个栅极线GL结构，所述GL结构从所述核心区延伸至所述阶梯区，所述GL结构中的至少一个GL结构在所述核心区内具有第一宽度并且在所述阶梯区内具有不同于所述第一宽度的第二宽度；穿过所述核心区内的所述堆叠体形成的一个或多个第一沟道结构；以及一个或多个阶梯触点SCT，每个阶梯触点被形成为穿过所述阶梯区内的所述堆叠体的至少部分，所述SCT均连接所述阶梯区内的所述堆叠体的所述字线层中的一个字线层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于去除阶梯区内的牺牲栅极线多晶硅的栅极线掩模设计
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号