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申请/专利权人：三星SDI株式会社
申请日：2023-11-16
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN118137437A
主分类号：H02H9/02
分类号：H02H9/02;H02H9/04
优先权：["20221201 KR 10-2022-0166038"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开
摘要：涌入电流限制器包括：第一输入节点和第二输入节点，其从电源接收输入电压；第一输出节点和第二输出节点，其连接到负载；场效应晶体管，其连接在第一输入节点和第一输出节点之间；栅极驱动器，其包括第一分压器电路和第一电容器，第一分压器电路包括连接在第一输入节点与场效应晶体管的控制端子之间的第一电阻器和连接在场效应晶体管的控制端子与第二输入节点之间的第二电阻器，第一电容器连接在第一输入节点和场效应晶体管的控制端子之间，该栅极驱动器被配置为调节在输入电压可输入之后直至场效应晶体管可导通为止的时间；以及高电压限制器，其包括第三电阻器，第三电阻器与第一电阻器并联连接并且具有根据第一输入节点和场效应晶体管的控制端子之间的电压而变化的电阻值，该高电压限制器被配置为通过改变第三电阻器的电阻值来限制第一输入节点和场效应晶体管的控制端子之间的电压升。
主权项：1.一种涌入电流限制器，包括：第一输入节点和第二输入节点，其从电源接收输入电压；第一输出节点和第二输出节点，其连接到负载；场效应晶体管，其连接在所述第一输入节点和所述第一输出节点之间；栅极驱动器，其包括第一分压器电路和第一电容器，所述第一分压器电路包括连接在所述第一输入节点与所述场效应晶体管的控制端子之间的第一电阻器和连接在所述场效应晶体管的控制端子与所述第二输入节点之间的第二电阻器，所述第一电容器连接在所述第一输入节点和所述场效应晶体管的控制端子之间，所述栅极驱动器被配置为调节在所述输入电压被输入之后直至所述场效应晶体管被导通为止的时间；以及高电压限制器，其包括电阻电路，所述电阻电路与所述第一电阻器并联连接并且具有根据所述第一输入节点和所述场效应晶体管的控制端子之间的电压而变化的电阻值，所述高电压限制器被配置为通过改变所述电阻电路的电阻值来限制所述第一输入节点和所述场效应晶体管的控制端子之间的电压升高。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星SDI株式会社 涌入电流限制器和包括该涌入电流限制器的系统
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