申请/专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

申请日：2021-04-23

公开（公告）日：2024-06-04

公开（公告）号：CN113114195B

主分类号：H03K17/687

分类号：H03K17/687

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.04#授权;2021.07.30#实质审查的生效;2021.07.13#公开

摘要：本申请提供了一种断电关闭电路、断电关闭芯片及开关芯片，涉及电路技术领域。断电关闭电路用于连接目标金属氧化物半导体场效应晶体管MOS，目标MOS为增强型NMOS，断电关闭电路包括：第一端口、第二端口、第三端口和第四端口。第一端口用于连接目标MOS的栅极，第二端口用于连接目标MOS的源极，第三端口用于连接驱动电源，第四端口用于连接驱动信号；断电关闭电路，用于当驱动电源未起电或驱动信号为低电平时，控制目标MOS的栅极电压和目标MOS的源极电压相等；以及当驱动电源起电且驱动信号为高电平时，使第一端口和第二端口在断电关闭电路内断路。利用本申请的方案，在实现对目标MOS管的断电关闭时，不会影响对于增强型NMOS管栅极的驱动。

主权项：1.一种断电关闭电路，其特征在于，用于连接目标金属氧化物半导体场效应晶体管MOS，目标MOS为增强型NMOS，所述断电关闭电路包括：第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第一电阻、第二电阻、第一NMOS、第二NMOS、第三NMOS和第四NMOS；所述第一端口用于连接所述目标MOS的栅极，所述第二端口用于连接所述目标MOS的源极，所述第三端口用于连接驱动电源，所述第四端口用于连接驱动信号；所述第一NMOS和第二NMOS为耗尽型NMOS，所述第三NMOS和第四NMOS为增强型NMOS；所述第一NMOS的漏极连接所述第二NMOS的源极和所述第三NMOS的源极，所述第一NMOS的栅极连接所述第二NMOS的栅极和所述第四NMOS漏极，所述第一NMOS的源极连接所述第一电阻的第一端和所述第二NMOS的衬底，所述第一NMOS的衬底连接所述第一NMOS的源极；所述第二NMOS的漏极连接所述第一端口；所述第三NMOS的漏极连接所述驱动电源，所述第三NMOS的栅极连接所述驱动信号，所述第三NMOS的衬底连接所述第四NMOS的源极；所述第四NMOS的栅极连接所述驱动信号，所述第四NMOS的源极连接所述第二端口，所述第四NMOS的衬底连接所述第四NMOS的源极；所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端和所述第四NMOS的漏极；所述第二电阻的第二端连接所述第二端口；所述断电关闭电路，用于当所述驱动电源未起电或所述驱动信号为低电平时，控制所述目标MOS的栅极电压和所述目标MOS的源极电压相等；以及当所述驱动电源起电且所述驱动信号为高电平时，使所述第一端口和所述第二端口在所述断电关闭电路内断路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 一种断电关闭电路、断电关闭芯片及开关芯片

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