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【发明公布】一种低噪声电流源_国芯科技(广州)有限公司_202410272758.4 

申请/专利权人:国芯科技(广州)有限公司

申请日:2024-03-11

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN118151707A

主分类号:G05F1/56

分类号:G05F1/56

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.07#公开

摘要:本发明公开了一种低噪声电流源。电流源噪声传播到时钟电路等模块容易产生频率误差、非线性失真、时钟飘移动等问题。本发明包括电流比较单元、反相器、SAR控制器和输出单元。电流比较单元分别与反相器、SAR控制器和输出单元连接,反相器与SAR控制器连接。电流比较单元输出电流比较信号至反相器,比较信号反相后输入SAR控制器,SAR控制器输出控制信号到电流比较单元,控制电流比较单元的电流大小,电流比较单元输出电流信号至输出单元,输出最终电流。本发明利用反馈机制,动态平衡输出电流,减小了电流源纹波,同时降低电流源的噪声。电流源的噪声得到改善后,能够改善收发系统性能,提高系统的信号纯度、相位稳定性和整体性能。

主权项:1.一种低噪声电流源,其特征在于:包括电流比较单元、反相器、SAR控制器和输出单元;电流比较单元分别与反相器、SAR控制器和输出单元连接,反相器与SAR控制器连接;电流比较单元输出电流比较信号至反相器,比较信号反相后输入SAR控制器,SAR控制器输出控制信号到电流比较单元,控制电流比较单元的电流大小,电流比较单元输出电流信号至输出单元,输出最终电流;电流比较单元包括基准电流产生电路和偏置电流产生电路;基准电流产生电路包括四个PMOS管、三个NMOS管和两个电阻;第一PMOS管PM1的源极和第二PMOS管PM2的源极接电源VCC,第一PMOS管PM1的漏极接第三PMOS管PM3的源极,第二PMOS管PM2的漏极接第四PMOS管PM4的源极;第一PMOS管PM1的栅极、第二PMOS管PM2的栅极和第三PMOS管PM3的漏极接第一电阻R1的一端;第三PMOS管PM3的栅极、第四PMOS管PM4的栅极和第一电阻R1的另一端接第一NMOS管NM1的漏极,第一NMOS管NM1的源极通过第二电阻R2接地;第一NMOS管NM1的栅极、第二NMOS管NM2的栅极和漏极、第三NMOS管NM3的栅极接第四PMOS管PM4的漏极,第二NMOS管NM2的源极和第三NMOS管NM3的源极接地,第三NMOS管NM3的漏极为基准电流输出端IREF;偏置电流产生电路包括四个PMOS管和一个可调电阻阵列;第五PMOS管PM5的源极和第六PMOS管PM6的源极接电源VCC,第五PMOS管PM5的漏极接第七PMOS管PM7的源极,第六PMOS管PM6的漏极接第八PMOS管PM8的源极,第七PMOS管PM7的漏极为偏置电流输出端IBIAS;第五PMOS管PM5的栅极、第六PMOS管PM6的栅极、第七PMOS管PM6的栅极、第八PMOS管PM8的栅极和漏极接可调电阻阵列的电流输入端P1,作为电流比较单元输出端OUT;基准电流输出端IREF和偏置电流输出端IBIAS接反相器的输入端VN,反相器的输出端接SAR控制器的输入端,SAR控制器的输出端连接电阻阵列的控制端P2;输出单元包括两个PMOS管;第九PMOS管PM9的源极接电源VCC,第九PMOS管PM9的漏极接第十PMOS管PM10的源极,第九PMOS管PM9的栅极和第十PMOS管PM10的栅极接电流比较单元输出端OUT,第十PMOS管PM10的漏极为电流源输出端。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 国芯科技(广州)有限公司 一种低噪声电流源

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