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【发明公布】具有改进的低频响应的声学换能器_高通科技公司_202280072144.0 

申请/专利权人:高通科技公司

申请日:2022-11-09

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN118160325A

主分类号:H04R17/02

分类号:H04R17/02

优先权:["20211109 US 63/277,325","20221108 US 18/053,669"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.07#公开

摘要:描述了声学换能器的各方面。一个方面是一种微机电MEMS换能器,该MEMS换能器包括基板和多个悬臂梁。第一悬臂梁包括第一突起和第一压电结构,其中第一压电结构包括第一偏转端和第一固定端,其中第一固定端耦合到基板,并且其中第一偏转端远离基板被悬吊。第一悬臂梁与第二悬臂梁通过间隙分离。第一突起设置在第一偏转端处,并且在第一偏转端处沿着间隙增加第一悬臂梁的厚度。第二梁的第二突起设置在第二偏转端处,并且在第一偏转端处沿着间隙增加第二悬臂梁的厚度。

主权项:1.一种微机电MEMS换能器,包括:基板;第一悬臂梁,包括第一突起和第一压电结构,其中所述第一压电结构包括第一偏转端和第一固定端,其中所述第一固定端耦合到所述基板,并且其中所述第一偏转端远离所述基板被悬吊;第二悬臂梁,包括第二突起和第二压电结构,其中所述第二压电结构包括第二偏转端和第二固定端,其中所述第二固定端耦合到所述基板,并且其中所述第二偏转端远离所述基板被悬吊;其中所述第一悬臂梁通过间隙与所述第二悬臂梁分离;其中所述第一突起设置在所述第一偏转端处,并且在所述第一偏转端处沿着所述间隙增加所述第一悬臂梁的厚度;并且其中所述第二突起设置在所述第二偏转端处,并且在所述第一偏转端处沿着所述间隙增加所述第二悬臂梁的厚度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 高通科技公司 具有改进的低频响应的声学换能器

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