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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日：2024-05-13
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156169A
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;H01L23/544;G01B7/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本发明提供一种半导体金属层关键尺寸的量测方法、系统、设备及介质，量测方法包括在半导体的金属层结构中，选取相邻两个金属层，相邻两个金属层间设有绝缘介质层；通过晶圆接受测试机台对相邻两个金属层测试，获取相邻两个金属层上的累计电荷和电压差值；利用累计电荷和电压差值，计算相邻两个金属层的电容值；获取绝缘介质层的介电常数和相邻两个金属层的侧面面积，其中，侧面面积表征为一个金属层的侧面投影于另一个金属层的侧面上的投影面积，侧面面积的数值大于相邻两个金属层的关键尺寸数值，投影面积为预设值；以及根据电容值、介电常数、侧面面积，生成相邻两个金属层间的关键尺寸数值。本发明具有灵敏度高，时效性强的优点。
主权项：1.一种半导体金属层关键尺寸的量测方法，其特征在于，包括：在半导体的金属层结构中，选取相邻两个金属层，其中，相邻两个所述金属层间设有绝缘介质层；通过晶圆接受测试机台对相邻两个所述金属层测试，获取相邻两个所述金属层上的累计电荷和电压差值；利用所述累计电荷和所述电压差值，计算相邻两个所述金属层的电容值；获取所述绝缘介质层的介电常数和相邻两个所述金属层的侧面面积，其中，所述侧面面积表征为一个金属层的侧面投影于另一个金属层的侧面上的投影面积，所述侧面面积的数值大于相邻两个所述金属层的关键尺寸数值，所述投影面积为预设值；以及根据所述电容值、所述介电常数、所述侧面面积，生成相邻两个所述金属层间的关键尺寸数值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体金属层关键尺寸的量测方法、系统、设备及介质
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