申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-12-07

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN118151690A

主分类号：G05D23/20

分类号：G05D23/20

优先权：["20221207 KR 10-2022-0169559"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.07#公开

摘要：一种半导体制造装置的温度控制系统包括：分别存储低温加热介质和高温加热介质的第一加热介质存储装置和第二加热介质存储装置；混合装置，其包括将低温加热介质和高温加热介质以预定的混合比率混合的混合阀；以及控制装置。混合装置将混合的加热介质提供至装载部，并且将从装载部回收的回收加热介质分配至第一加热介质存储装置和第二加热介质存储装置。控制装置被配置为，通过使用表示通过装载部的加热介质的温度的参考温度与作为由混合阀输出的加热介质的温度的混合单元温度之间的关系模型对混合单元温度执行前馈控制和反馈控制，控制混合比率，使得参考温度具有目标参考温度。

主权项：1.一种半导体制造装置的温度控制系统，所述温度控制系统包括：第一加热介质存储装置，其被配置为存储低温加热介质；第二加热介质存储装置，其被配置为存储高温加热介质，其中，所述高温加热介质的温度大于所述低温加热介质的温度；混合阀，其被配置为将所述低温加热介质和所述高温加热介质以预定的混合比率混合，并且将混合的加热介质供应至装载部；第一旁通阀，其被配置为使由所述第一加热介质存储装置输出的所述低温加热介质回收至所述第一加热介质存储装置；第二旁通阀，其被配置为使由所述第二加热介质存储装置输出的所述高温加热介质回收至所述第二加热介质存储装置；分配阀，其被配置为将从所述装载部回收的回收加热介质分配至所述第一加热介质存储装置和所述第二加热介质存储装置；同步控制器，其被配置为基于所述混合比率同步地控制所述混合阀、所述第一旁通阀、所述第二旁通阀和所述分配阀；流动路径，其设为使加热介质通过所述流动路径流经所述第一加热介质存储装置、所述第二加热介质存储装置、所述混合阀、所述第一旁通阀、所述第二旁通阀、所述装载部和所述分配阀；混合单元温度传感器，其设置在所述流动路径中的所述混合阀的输出端；参考温度传感器，与所述混合单元温度传感器相比，所述参考温度传感器在所述流动路径中被布置为更靠近所述装载部；以及控制装置，其被配置为从外部实体获得用于由所述参考温度传感器测量的参考温度的目标参考温度，以基于所述参考温度与由所述混合单元温度传感器测量的混合单元温度之间的关系模型，将所述目标参考温度改变为所述混合单元温度的目标混合单元温度，并且基于所述目标混合单元温度和所述混合单元温度控制所述混合阀的位置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 用于半导体制造装置的温度控制系统和温度控制方法

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