申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

申请日：2020-12-02

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN114846395B

主分类号：G02F1/1335

分类号：G02F1/1335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2022.08.19#实质审查的生效;2022.08.02#公开

摘要：本申请公开了一种彩膜基板及其制造方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域。该彩膜基板中的黑矩阵层包括第一膜层和第二膜层。由于该第一膜层的材料和第二膜层的材料不同，因此该第一膜层和第二膜层中的至少一层膜层可以不采用树脂胶制备，进而能够减少第一膜层的第一通孔和第二膜层的第二通孔中至少一个通孔内残留的树脂胶，保证显示装置的显示效果。并且，由于第一膜层的反射率较大，且第二膜层的光学密度较大，因此可以确保本申请提供的彩膜基板能够满足黑矩阵层设计要求。

主权项：1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板为低温多晶硅显示面板，所述显示面板包括：阵列基板，彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；所述彩膜基板包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的黑矩阵层，所述黑矩阵层包括：沿远离所述衬底基板的方向层叠的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层具有多个第一通孔，所述第二膜层具有与所述多个第一通孔一一对应的多个第二通孔，且所述第二通孔与对应的一个所述第一通孔连通，所述第二通孔在所述衬底基板上的正投影的面积大于对应的一个所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影的面积；以及多个色阻块，每个所述色阻块位于一个所述第二通孔以及对应的第一通孔内，所述第二通孔在所述衬底基板上的正投影覆盖对应的一个所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影；其中，所述第一膜层由氧化钼制备得到，所述第二膜层的材料为钼；所述第一膜层的厚度范围为：50纳米至60纳米，所述第一膜层的厚度为50nm、55nm以及60nm时的反射率，小于第一膜层的厚度为30nm以及40nm时的反射率，且小于第一膜层的厚度为70nm时的反射率；所述第二膜层的厚度范围为：120纳米至200纳米，且所述第一膜层的反射率小于反射率阈值，所述第二膜层的光学密度大于光学密度阈值，所述第一膜层和所述第二膜层是对形成于衬底基板上的第一材料层以及第二材料层进行图形化处理后得到的，所述图形化处理包括光刻胶涂覆，曝光，显影以及湿刻，所述湿刻中采用的刻蚀液包括硝酸，乙酸以及磷酸，显影后的光刻胶在所述衬底基板上的正投影的面积，大于所述第一膜层在所述衬底基板上的正投影的面积，且大于所述第二膜层在所述衬底基板上的正投影的面积，所述第一膜层和所述第二膜层为采用一次刻蚀得到的膜层，所述光刻胶为正性光刻胶，所述曝光所采用的掩膜板为正性掩膜板。

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