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申请/专利权人：芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
申请日：2024-03-19
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN117912958B
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L21/304;H01L29/06;H01L29/78
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开
摘要：本发明提供了一种超结结构的制备方法及超结器件的制备方法。在制备超结结构时，使外延生长的填充材料层未填满外延层内的沟槽，并结合研磨工艺以至少去除未填满的部分所对应的厚度，使得研磨后的外延层的顶表面平整，有效改善了现有技术中由于过填充沟槽而导致外扩的填充材料层在外延层的顶部形成挤压并产生较大应力的问题，并且还可有效降低填充材料层在沟槽的顶部提前闭合而产生有孔洞的风险，使得研磨后的填充材料层的顶表面平整无孔洞，在此基础上制备形成的超结器件的漏电流现象可有效改善，提高器件的性能。
主权项：1.一种超结结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一导电类型的外延层，并在所述外延层内形成至少两个沟槽，包括：在所述外延层的顶表面上形成掩模层，所述掩模层内定义出沟槽图案，所述掩模层包括由下至上堆叠设置的垫氧化层、氮化膜和顶部氧化层；执行刻蚀工艺，以将所述掩模层内的沟槽图案复制至所述外延层内形成所述沟槽；去除所述掩模层中的顶部氧化层和氮化膜，并保留所述垫氧化层在所述外延层的顶表面上；执行外延工艺，以在所述沟槽内外延生长第二导电类型的填充材料层，所述填充材料层仅生长在所述沟槽内且未填满所述沟槽，并且所述填充材料层在所述沟槽内具有中心凹陷的顶表面，使所述填充材料层的最低顶表面至所述沟槽的顶部位置具有预定距离；以及，执行研磨工艺，以研磨去除所述垫氧化层和所述外延层中至少对应于所述预定距离的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 超结结构的制备方法及超结器件的制备方法
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