申请/专利权人：上海鼎阳通半导体科技有限公司

申请日：2022-12-15

公开（公告）日：2024-06-18

公开（公告）号：CN118213386A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.18#公开

摘要：本发明公开了一种沟槽栅超结IGBT器件，包括：形成于N型掺杂的半导体衬底中烦热超结结构，在超结结构的底部形成有P型掺杂的集电区。P型柱的底部和集电区的顶部表面具有间距。在超结结构的顶部区域中形成有第一N型离子注入区。P型掺杂的体区形成于第一N型离子注入区的顶部表面之上的超结结构中，超结结构的有效区域为所述第一N型离子注入区底部表面之下的区域。栅极沟槽穿过体区以及栅极沟槽的底部表面位于第一N型离子注入区中。在沟槽栅侧面的体区的表面形成有由N+区组成的发射区。第一N型离子注入区作为载流子存储层以及同时作为切断体区和P型柱之间的导通路径的隔离层。本发明还公开了一种沟槽栅超结IGBT器件的制造方法。

主权项：1.一种沟槽栅超结IGBT器件，其特征在于，包括：超结结构，所述超结结构由多个N型柱和P型柱交替排列而成，一个所述N型柱和相邻的一个所述P型柱组成一个对应的超结单元；所述超结结构形成于N型掺杂的半导体衬底中，在所述超结结构的底部形成有P型掺杂的集电区；所述P型柱的底部和所述集电区的顶部表面具有间距；在所述超结结构的顶部区域中形成有第一N型离子注入区；所述第一N型离子注入区的顶部表面和所述半导体衬底的顶部表面具有间距，所述第一N型离子注入区的底部表面以下的所述半导体衬底作为漂移区；在横向上，所述第一N型离子注入区和各所述P型柱和各所述N型柱相交叠，所述第一N型离子注入区的N型掺杂浓度大于所述P型柱的P型掺杂浓度，使得所述第一N型离子注入区和所述P型柱的交叠区域中净掺杂都为N型掺杂；P型掺杂的体区形成于所述第一N型离子注入区的顶部表面之上的所述超结结构中，所述超结结构的有效区域为所述第一N型离子注入区底部表面之下的区域；在器件单元区中，IGBT器件由多个所述器件单元结构并联而成，所述器件单元结构包括：沟槽栅，由填充于栅极沟槽中的栅介质层和栅极导电材料层组成，所述栅极沟槽穿过所述体区以及所述栅极沟槽的底部表面位于所述第一N型离子注入区中；在所述沟槽栅侧面的所述体区的表面形成有由N+区组成的发射区；被所述栅极导电材料层侧面覆盖的所述体区的表面用于形成导通沟道，器件导通时所述导通沟道直接连接所述发射区和所述第一N型离子注入区并从而实现所述发射区和所述漂移区的电连接；所述第一N型离子注入区作为载流子存储层以及所述第一N型离子注入区同时作为切断所述体区和所述P型柱之间的导通路径的隔离层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海鼎阳通半导体科技有限公司 沟槽栅超结IGBT器件及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD