申请/专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司

申请日：2023-09-20

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN117498854B

主分类号：H03K17/567

分类号：H03K17/567;H03K17/04;H03K17/081

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本发明涉及集成电路领域，提供一种IGBT驱动电路及芯片。所述IGBT驱动电路包括死区产生模块、电平位移模块、延时电路模块、第一驱动管以及第二驱动管。死区产生模块用于基于输入信号生成非交叠的第一控制信号和第二控制信号；电平位移模块用于对第一控制信号进行电平位移处理生成高压域控制信号；延时电路模块用于对第二控制信号进行延时处理生成与所述高压域控制信号的延时相匹配的低压域控制信号；第一驱动管与第二驱动管在高压域控制信号以及低压域控制信号的作用下生成轨到轨输出的驱动信号。本发明可实现不同电压域的匹配，提高响应速度，且可实现良好的延时匹配特性，避免第一驱动管与第二驱动管直通，节省功耗。

主权项：1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括：死区产生模块、电平位移模块、延时电路模块、第一驱动管以及第二驱动管，所述死区产生模块的输出端与所述电平位移模块的输入端以及所述延时电路模块的输入端相连，所述电平位移模块的输出端与所述第一驱动管的栅极相连，所述延时电路模块的输出端与所述第二驱动管的栅极相连，所述第一驱动管的漏极与所述第二驱动管的漏极相连；所述死区产生模块用于基于输入信号生成非交叠的第一控制信号和第二控制信号；所述电平位移模块用于对所述死区产生模块输出的第一控制信号进行电平位移处理，生成高压域控制信号；所述延时电路模块用于对所述死区产生模块输出的第二控制信号进行延时处理，生成与所述高压域控制信号的延时相匹配的低压域控制信号；所述第一驱动管与第二驱动管在高压域控制信号以及低压域控制信号的作用下，生成用于驱动IGBT的驱动信号；所述电平位移模块包括：运算放大器、PMOS管、NMOS管、第三反相器链、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及第五电阻；第一电阻与第二电阻串联连接，第一电阻与第二电阻的公共端连接运算放大器的同相输入端，运算放大器的输出端与PMOS管的栅极相连，PMOS管的源极与运算放大器的反相输入端以及第三反相器链的源极相连，PMOS管的源极通过第三电阻连接到电源端，PMOS管的漏极连接到接地端；NMOS管的栅极与第一控制信号相连，NMOS管的源级通过第五电阻连接到接地端，NMOS管的漏极通过第四电阻连接到电源端，NMOS管的漏极与第四电阻的公共端与第三反相器链的输入端相连，第三反相器链的输出端输出高压域控制信号。

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