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申请/专利权人：深圳腾睿微电子科技有限公司
申请日：2023-08-09
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN116741821B
主分类号：H01L29/739
分类号：H01L29/739;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/331
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2023.09.29#实质审查的生效;2023.09.12#公开
摘要：本发明提供一种IGBT器件结构，其包括集电极金属层、N型缓冲层以及N型外延层。N型外延层的顶部设置有源区、终端保护区以及截止保护区；N型外延层的有源区从下到上依次设置有P型注入区、绝缘氧化层以及发射极金属；N型外延层的终端保护区从下到上依次设置有P型场限环、绝缘氧化层以及场板结构；N型外延层的截止保护区从下到上依次设置有N型截止环、绝缘氧化层以及截止保护区金属；P型场限环的两侧设置有用于防止P型场限环扩散的沟槽栅结构；本发明还提供一种IGBT器件结构的制作方法。
主权项：1.一种IGBT器件结构，其特征在于，包括：集电极金属层，N型缓冲层，设置在所述集电极金属层上；N型外延层，设置在所述N型缓冲层上；所述N型外延层的顶部设置有源区、终端保护区以及截止保护区；所述N型外延层的有源区从下到上依次设置有P型注入区、绝缘氧化层以及发射极金属，发射极金属通过设置在所述绝缘氧化层上的接触孔与所述P型注入区连接；所述N型外延层的终端保护区从下到上依次设置有间隔设置的多个P型场限环、绝缘氧化层以及场板结构，所述场板结构通过设置在所述绝缘氧化层上的接触孔与所述P型场限环连接；所述N型外延层的截止保护区从下到上依次设置有N型截止环、绝缘氧化层以及截止保护区金属，所述截止保护区金属通过设置在所述绝缘氧化层上的接触孔与所述N型截止环连接；每个P型场限环的两侧分别设置有用于防止P型场限环扩散的沟槽栅结构，所述沟槽栅结构的水平一侧为P型场限环，所述沟槽栅结构的水平另一侧为N型外延层；从而防止P型离子横向扩散至N型外延层中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳腾睿微电子科技有限公司 IGBT器件结构及对应的制作方法
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