申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2020-12-30

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN114695268B

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2022.07.19#实质审查的生效;2022.07.01#公开

摘要：本发明提供一种存储器及其制作方法，涉及存储设备技术领域，用于解决存储器的存储密度低的技术问题。该存储器的制作方法包括：提供基底，基底包括相连的中心区和边缘区，边缘区中形成有与基底中的字线结构电连接的第一接触结构；于边缘区上形成与第一接触结构电连接的第二接触结构；于中心区上形成与字线结构电连接的电容结构；于第二接触结构上形成与第二接触结构电连接的第三接触结构；于电容结构和第三接触结构上形成与字线结构电连接的晶体管结构，晶体管结构在基底上的正投影与电容结构和第三接触结构在基底上的正投影至少部分重合，以增加设置电容结构的范围，使电容结构中可以形成更多的电容器，进而提高存储器的存储密度。

主权项：1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括中心区，以及与所述中心区连接的边缘区，所述边缘区中形成有第一接触结构，所述第一接触结构与所述基底中的字线结构电连接；于所述边缘区上形成第二接触结构，所述第二接触结构与所述第一接触结构电连接；于所述中心区上形成电容结构，所述电容结构与所述字线结构电连接；于所述第二接触结构上形成第三接触结构，所述第三接触结构与所述第二接触结构电连接；于所述电容结构和所述第三接触结构上形成晶体管结构，所述晶体管结构与所述第三接触结构电连接，且所述晶体管结构在所述基底上的正投影与所述电容结构和所述第三接触结构在所述基底上的正投影至少部分重合；于所述边缘区上形成第二接触结构之前，所述制作方法还包括：于所述基底上形成具有孔洞结构的掩膜层；于所述孔洞结构的内表面和底部形成下电极层；所述孔洞结构包括第一孔洞结构和第二孔洞结构，所述第一孔洞结构位于所述中心区上，所述第二孔洞结构位于所述边缘区上；其中，所述第二孔洞结构暴露所述第一接触结构；所述下电极层包括第一下电极层和第二下电极层，所述第一下电极层设置于所述第一孔洞结构内，所述第二下电极层设置于所述第二孔洞结构内；于所述边缘区上形成第二接触结构的步骤包括：于所述中心区上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层覆盖所述第一孔洞结构和部分所述掩膜层；于所述第二孔洞结构内形成第一导电层，所述第一导电层和所述第二下电极层构成所述第二接触结构；去除所述第一光刻胶层。

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权利要求：

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