申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2020-10-12

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN112269045B

主分类号：G01R3/00

分类号：G01R3/00;G01R31/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2021.02.12#实质审查的生效;2021.01.26#公开

摘要：本发明提供一种用于失效分析的测试结构，包括测试单元结构且依次堆叠的第N至第N+m个半导体结构层；第N个半导体结构层的引线端部设有通孔接触点；第N+1至第N+m个半导体结构层的引线端部设有金属块，第N个半导体结构层的通孔接触点通过通孔与第N+1个半导体结构层的金属块接触；第N+1至第N+m‑1个半导体结构层的引线端部的金属块分别通过各自上方层间介质层中的通孔连接至各自上方相邻的半导体结构层的金属块。本发明在现有的测试结构基础上，兼顾失效分析的需求，通过在引线上添加通孔及方块金属将每个测试单元结构连接到外围电路的引线端引到样品表面，提高研磨效率和研磨成功率，从而满足最初始的电性分析，提高失效分析成功率和分析效率。

主权项：1.一种用于失效分析的测试结构，其特征在于，至少包括：依次堆叠的第N至第N+m个半导体结构层，其中N、m分别为正整数；所述第N至第N+m个所述半导体结构层之间被层间介质层填充；所述第N+m个半导体结构层为所述测试结构的顶层；所述第N至第N+m个半导体结构层分别包括：测试单元结构，所述测试单元结构由位于同层的引线引出；其中所述第N个半导体结构层的所述引线端部设有通孔接触点；所述第N+1至第N+m个半导体结构层的所述引线端部分别设有金属块，所述第N个半导体结构层的所述通孔接触点通过其上方层间介质层中的通孔与所述第N+1个半导体结构层的所述金属块接触；所述第N+1至第N+m-1个半导体结构层的所述引线端部的所述金属块分别通过各自上方所述层间介质层中的通孔连接至各自上方相邻的所述半导体结构层的所述金属块；所述第N至第N+m个半导体结构层中的所述测试单元结构包括：由多个长槽型的线状结构按开口方向正反交替对接形成的蛇形结构；第一、第二梳状结构；其中所述第一梳状结构置于所述蛇形结构的一侧，所述第一梳状结构的每个梳齿分别对应插入所述蛇形结构所述一侧的每个所述长槽型的线状结构的开口中；所述第二梳状结构置于所述蛇形结构的另一侧，所述第二梳状结构的每个梳齿分别对应插入所述蛇形结构所述另一侧的每个所述长槽型的线状结构的开口中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种用于失效分析的测试结构

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