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申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
申请日：2020-09-18
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN112285611B
主分类号：G01R31/56
分类号：G01R31/56;G01R31/52
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.01.29#公开
摘要：本申请涉及失效分析技术领域，具体公开一种器件失效分析定位方法，包括：对扫描探头进行校准，获取校准数据；控制扫描探头对待测器件进行扫描，并获得第一参数信息，第一参数信息用于表征待测器件扫描高度平面的电磁场信息；根据第一参数信息和校准数据，确定待测器件目标高度平面的电磁场信息；根据待测器件目标高度平面的电磁场信息，确定待测器件表面的电学分布；根据待测器件表面的电学分布，确定待测器件的失效位置。基于电磁注入和探测的原理，结合待测器件表面的电磁场信息实现对待测器件的失效位置的分析，相对于传统的失效分析方法而言，成本较低，且无需对待测器件进行破坏，整体失效定位方法可靠性较高。
主权项：1.一种器件失效定位分析方法，其特征在于，所述器件失效定位分析方法基于近场探测系统，所述近场探测系统包括扫描探头和信号分析设备，所述扫描探头用于对待测器件进行近场扫描，所述信号分析设备用于注入信号至所述待测器件，以及分析所述扫描探头扫描产生的信号；所述器件失效定位分析方法包括：对所述扫描探头进行校准，获取校准数据；控制所述扫描探头对所述待测器件进行扫描，并获得第一参数信息，所述第一参数信息用于表征所述待测器件扫描高度平面的电磁场信息；根据所述第一参数信息和所述校准数据，确定所述待测器件目标高度平面的电磁场信息；根据所述待测器件目标高度平面的电磁场信息，确定所述待测器件表面的电学分布；根据所述待测器件表面的电学分布，确定所述待测器件的失效位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 器件失效定位分析方法
免责声明
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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