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申请/专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日：2021-03-05
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN113515911B
主分类号：G06F30/33
分类号：G06F30/33;G06F30/337
优先权：["20200409 TW 109111900"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.11.05#实质审查的生效;2021.10.19#公开
摘要：本发明提供一种集成电路、电源验证电路与电源验证方法。所述电源验证电路包括一电流源、一电阻式随机存取存储器单元以及一齐纳二极管。上述电流源耦接于一电源端。上述电阻式随机存取存储器单元耦接于上述电流源以及一接地端之间。上述齐纳二极管具有一阳极耦接于上述电阻式随机存取存储器单元以及一阴极耦接于上述电源端。上述电阻式随机存取存储器单元的阻抗是由施加在上述电源端的一电源电压所决定。
主权项：1.一种电源验证电路，其特征在于，包括：一电流源，耦接于一电源端以及一接地端之间；一电阻式随机存取存储器单元，耦接于所述电流源以及一接地端之间；以及一齐纳二极管，并联于所述电流源，具有一阳极耦接于所述电阻式随机存取存储器单元以及一阴极耦接于所述电源端；一测试位，位于所述电流源和所述接地端之间；其中所述电阻式随机存取存储器单元的阻抗是由施加在所述电源端的一电源电压所决定；来自所述电流源的电流无法对所述电阻式随机存取存储器单元进行设定和重置，所述电阻式随机存取存储器单元初始为低阻抗，相应的所述测试位为低电压位准；当施加在所述电源端电压超过所述齐纳二极管的奔溃电压使所述齐纳二极管导通时，通过所述齐纳二极管流至所述电阻式随机存取存储器单元的电流，使所述电阻式随机存取存储器单元变为高阻抗，相应的所述测试位电压变为高电压位准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新唐科技股份有限公司 集成电路、电源验证电路与电源验证方法
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