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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2022-04-21
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN114756080B
主分类号：G05F1/567
分类号：G05F1/567
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2022.08.02#实质审查的生效;2022.07.15#公开
摘要：一种偏置电流产生电路和电流提供电路，所述偏置电流产生电路包括：恒定跨导偏置电路、第一电流源、第一MOS管和n个第二MOS管，n≥1。所述恒定跨导偏置电路连接第一MOS管的漏极，所述第一MOS管的源极接地。所述n个第二MOS管的栅极连接在一起，所述n个第二MOS管中的第一个第二MOS管的源极接地，所述n个第二MOS管中的第n个第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极和所述第一电流源，前一个第二MOS管的漏极连接后一个第二MOS管的源极。
主权项：1.一种偏置电流产生电路，其特征在于，包括：恒定跨导偏置电路、第一电流源、第一MOS管和n个第二MOS管，n≥1；所述恒定跨导偏置电路连接第一MOS管的漏极，所述第一MOS管的源极接地；所述n个第二MOS管的栅极连接在一起，所述n个第二MOS管中的第一个第二MOS管的源极接地，所述n个第二MOS管中的第n个第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极和所述第一电流源，前一个第二MOS管的漏极连接后一个第二MOS管的源极；所述第一MOS管工作在深线性区；在所述n个第二MOS管中，第n个第二MOS管工作在饱和区，其他第二MOS管工作在深线性区；所述n个第二MOS管的栅极宽长比相等，所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅极宽长比相等；所述第一MOS管的栅极电压为第一MOS管的等效电阻为Vth2为第二MOS管的阈值电压，μ为载流子迁移率，Cox为单位面积的栅氧化层电容，WL2为n个第二MOS管的等效栅极宽长比，I2为所述第一电流源的输出电流；μ为载流子迁移率，Cox为单位面积的栅氧化层电容，WL1为第一MOS管M1的栅极宽长比，Vg为第一MOS管M1的栅极电压，Vth1为第一MOS管M1的阈值电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 偏置电流产生电路和电流提供电路
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