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申请/专利权人：吉林大学
申请日：2024-01-04
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118175903A
主分类号：H10K71/12
分类号：H10K71/12;H10K71/20;H10K71/60;H10K71/00;H10K10/46;H10K85/10
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：本发明公开了基于激光烧蚀的微米级短沟道有机突触晶体管及制备方法，属于生物电子技术领域，包括：玻璃衬底的预处理；采用真空热蒸镀系统蒸镀金属薄膜；使用飞秒激光烧蚀沟道；采用真空热蒸镀系统蒸镀三氧化钼；制备P3HT有机半导体层；配制离子凝胶，滴注在沟道顶部区域，干燥，得到所述基于激光烧蚀的微米级短沟道有机突触晶体管；本发明采用激光烧蚀的方法制备突触晶体管的沟道具有便捷、无需掩膜、成本低、加工效率高、可调控沟道长度等显著的优势，并且能实现低功耗，模拟和生物突触相似的能量消耗水平。有机突触晶体管与两端忆阻器相比，具有多端调节的优点，在人工神经元网络中具有更大的优势。
主权项：1.基于激光烧蚀的微米级短沟道有机突触晶体管的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：1、玻璃衬底的预处理：首先，对玻璃衬底进行标准化清洁处理，将玻璃衬底依次放在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗60分钟，再用含有无水乙醇的医用脱脂棉球进行擦拭，之后用去离子水清洗，用氮气将玻璃衬底表面的水珠吹干，然后将清洁干净的玻璃衬底放在恒温95℃的烘箱中烘烤20分钟；2、采用真空热蒸镀系统蒸镀金属薄膜：将烘干后的玻璃衬底转移到真空热蒸镀系统中，在玻璃衬底上蒸镀一层金属薄膜；3、使用飞秒激光烧蚀沟道：蒸镀好金属薄膜后，将玻璃衬底转移到激光加工系统中，设置激光器的功率、重频、扫描速度，然后烧蚀沟道；4、采用真空热蒸镀系统蒸镀三氧化钼：烧蚀完成后，将玻璃衬底转移到真空热蒸镀系统中，在金属薄膜表面蒸镀一层三氧化钼；5、制备P3HT有机半导体层：将P3HT溶解在氯苯中形成溶液后，再将溶液旋涂在三氧化钼上层，在氮气环境下退火20分钟；6、配制离子凝胶：将PS-PMMA-PS、离子液体和乙酸乙酯按一定比例混合溶解得到离子凝胶，使用注射器将制备好的离子凝胶滴注在沟道顶部区域，放在真空干燥箱中静置24小时，得到所述基于激光烧蚀的微米级短沟道有机突触晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 吉林大学 基于激光烧蚀的微米级短沟道有机突触晶体管及制备方法
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