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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了三维3D存储器件及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括衬底和沟道结构，所述沟道结构在所述衬底之上垂直地延伸，并且具有在平面图中包括多个花瓣的梅花形状。所述沟道结构包括，在所述多个花瓣中的每个花瓣中的电荷捕获层、隧穿层、半导体沟道和沟道插塞。所述沟道插塞位于所述电荷捕获层、所述隧穿层和所述半导体沟道之上并且与之接触。
主权项：1.一种三维3D存储器件，包括：衬底；以及沟道结构，其在所述衬底之上垂直地延伸，并且具有在平面图中包括多个花瓣的梅花形状，其中，所述沟道结构包括，在所述多个花瓣中的每个花瓣中的电荷捕获层、隧穿层、半导体沟道和沟道插塞，所述沟道插塞位于所述电荷捕获层、所述隧穿层和所述半导体沟道之上并且与之接触，其中，在所述多个花瓣中的每个花瓣中所述沟道结构还包括花瓣封盖层，并且所述多个花瓣封盖层中的每个花瓣封盖层的厚度在所述平面图中是非均匀的，其中，所述半导体沟道和所述沟道插塞包括相同的半导体材料，并且其中，所述沟道插塞充当相应存储串的漏极部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 带有具有梅花形状的沟道结构的三维存储器件及用于形成其的方法
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