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申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心

摘要：本发明公开了一种多沟道碳化硅MOSFET及其制造方法，包括漏极；衬底；外延层；第一阱区；第一源区；接触区；上沟槽，贯穿第一源区和第一阱区，上沟槽的深度大于第一阱区的深度，二者深度之差不小于0.1µm；下沟槽，位于上沟槽的下方且与上沟槽相连通，下沟槽的宽度小于上沟槽的宽度；第二阱区；第二源区，第二源区的宽度和深度均小于第二阱区，二者边界之间的距离范围为0.1µm~0.4µm；第三阱区；第三源区，第三源区的宽度和深度均小于第三阱区；栅介质；T型导电材料；隔离介质；源极；本发明可以实现对导电沟道长度的调控，极大地增强了器件的过流能力，大幅降低器件的导通电阻。

主权项：1.一种多沟道碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：漏极；衬底，位于漏极之上；外延层，位于衬底之上；第一阱区，位于外延层之上；第一源区，位于第一阱区之中且宽度小于第一阱区；接触区，位于第一阱区之中和第一源区两侧，且与第一源区毗邻；上沟槽，贯穿第一源区和第一阱区，上沟槽的深度大于第一阱区的深度，二者深度之差不小于0.1µm；下沟槽，位于上沟槽的下方且与上沟槽相连通，下沟槽的宽度小于上沟槽的宽度；第二阱区，位于上沟槽的下方及下沟槽的两侧，第二阱区的深度小于下沟槽的深度；第二源区，位于第二阱区之中，第二源区的宽度和深度均小于第二阱区，二者边界之间的距离范围为0.1µm~0.4µm；第三阱区，位于外延层之中，且包围下沟槽的底面及部分侧面；第三源区，位于第三阱区之中，且包围下沟槽的底面及部分侧面，第三源区的宽度和深度均小于第三阱区，二者边界之间的距离范围为0.1µm~0.4µm；栅介质，位于上沟槽和下沟槽的侧壁及底部；T型导电材料，位于上沟槽和下沟槽之中；隔离介质，位于外延层之上，完全覆盖T型导电材料且两侧位于第一源区之上；源极，位于隔离介质之上且将隔离介质三面包围。

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