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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
摘要：半导体器件的实施可包括沟槽，该沟槽包括栅极和形成在该栅极中的栅极氧化物，并且延伸到形成在衬底材料中的第一导电类型掺杂柱中。该器件可包括与该沟槽相邻的沟槽沟道和两个第二导电类型掺杂柱，该两个掺杂柱在该第一导电类型掺杂柱的每一侧上延伸，其中该两个第二导电类型掺杂柱中的每个掺杂柱的深度与该沟槽进入该衬底材料的深度之比可以是至少1.6:1。
主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：沟槽，所述沟槽包括栅极和形成在所述栅极中的栅极氧化物，并且延伸到形成在衬底材料中的第一导电类型的掺杂柱中；沟槽沟道，所述沟槽沟道与所述沟槽相邻；和两个第二导电类型的掺杂柱，所述两个掺杂柱在所述第一导电类型掺杂柱的每一侧上延伸，其中所述两个第二导电类型掺杂柱中的每个掺杂柱的深度与所述沟槽进入所述衬底材料的深度之比是至少1.6:1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 沟槽沟道半导体器件和相关方法
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