龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：武汉理工大学
申请日：2024-03-22
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118168412A
主分类号：F41H5/04
分类号：F41H5/04;B32B3/18;B32B3/14;B32B27/28;B32B27/06;B32B9/04;B28B1/00;B33Y10/00;B33Y40/20;B33Y70/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：本发明提供了一种聚脲‑陶瓷双相抗侵彻结构及其制备方法，涉及装甲防护技术领域，该聚脲‑陶瓷双相抗侵彻结构包括多个呈阵列分布的阵列单元，所述阵列单元包括陶瓷点阵结构和聚脲填充结构，所述陶瓷点阵结构为凸正多面体型点阵结构，所述聚脲填充结构用于填充所述陶瓷点阵结构的空隙，以构成所述凸正多面体型点阵结构对应的最小正方体结构，所述最小正方体结构构成所述聚脲‑陶瓷双相抗侵彻结构的所述阵列单元。本发明的聚脲‑陶瓷双相抗侵彻结构，兼具刚度和强度，并且能够实现多次抗侵彻。
主权项：1.一种聚脲-陶瓷双相抗侵彻结构，其特征在于，包括多个呈阵列分布的阵列单元，所述阵列单元包括陶瓷点阵结构1和聚脲填充结构3，所述陶瓷点阵结构1为凸正多面体型点阵结构，所述聚脲填充结构3用于填充所述陶瓷点阵结构1的空隙，以构成所述凸正多面体型点阵结构对应的最小正方体结构2，所述最小正方体结构2构成所述聚脲-陶瓷双相抗侵彻结构的所述阵列单元。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉理工大学 一种聚脲-陶瓷双相抗侵彻结构及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号