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申请/专利权人：安徽大学
申请日：2024-03-20
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173658A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/102;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0392;C30B33/00;C30B29/16;C30B29/46;C30B29/64
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：一种用于日盲紫外探测器的二维层状MOn材料的制备方法，基于过渡金属硫族化合物二维层状单晶MXn氧化成为MOn宽带隙二维层状单晶材料，利用氧化反应制备单晶；MOn由MXn氧化得到；将目标MXn二维层状单晶材料置于管式炉中，加热时间为5‑10h；制备Ga2O3：550℃；HfO2:450℃；MoO2:550℃；WO3:650℃，通入的压缩空气间断，最终氧化得到MOn单一材料，构建基于宽带隙二维层状材料的MOn日盲紫外探测器。本发明中日盲紫外探测器吸光材料MOn主要由易制备、性能好、元素比差异小的硫族化合物氧化而来，晶体质量高；对应的MOn单晶日盲紫外探测器体积更小，背景噪声低、具有高探测效率及紫外波段高光响应。
主权项：1.一种基于过渡金属硫族化合物二维层状单晶MXn氧化成为MOn宽带隙二维层状单晶材料的方法，其特征是，利用氧化反应制备单晶；MOn由MXn其中M＝Ga、W、Hf、Mo，Zr；X＝S、Se、Te等氧化得到；具体而言，将目标MXn二维层状单晶材料置于管式炉中，加热时间为5-10h；制备Ga2O3：550±50℃；HfO2:450±50℃；MoO2:550±50℃；WO3:650±50℃，通入的压缩空气间断，最终氧化得到MOn单一材料，构建基于宽带隙二维层状材料的MOn日盲紫外探测器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽大学 一种用于日盲紫外探测器的二维层状MOn材料的制备方法
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