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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2021-01-28
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN112908855B
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2021.06.22#实质审查的生效;2021.06.04#公开
摘要：本发明提供一种提升P管组件负偏压温度不稳定性的方法，提供衬底，在衬底上形成阱区；在衬底上表面形成栅氧层；在栅氧层上形成栅极多晶硅并且在栅极多晶硅两侧形成侧墙；在栅极多晶硅两侧的所述阱区形成源漏区；形成覆盖栅极多晶硅顶部、侧墙以及源漏区上表面的缓冲层；在栅极多晶硅两侧的阱区中注入N型离子，形成N型注入区；在N型注入区上方的阱区中注入P型离子，形成P型LDD区。本发明在N型注入前通过增加缓冲层,阻止N型离子中和P型LDD区中的P型离子，从而阻止该中和所引起的沟道增长，从而减少受破坏的Si‑H键量，提高P管组件负温度偏压不稳定性寿命。
主权项：1.一种提升P管组件负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成阱区；步骤二、在所述衬底上表面形成栅氧层；步骤三、在所述栅氧层上形成栅极多晶硅并且在所述栅极多晶硅两侧形成侧墙；步骤四、在所述栅极多晶硅两侧的所述阱区形成源漏区；步骤五、形成覆盖所述栅极多晶硅顶部、侧墙以及所述源漏区上表面的缓冲层；步骤六、在所述栅极多晶硅两侧的所述阱区中注入N型离子，形成N型注入区；步骤七、在所述N型注入区上方的阱区中注入P型离子，形成P型LDD区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种提升P管组件负偏压温度不稳定性的方法
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