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申请/专利权人：五邑大学
申请日：2024-01-03
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118147660A
主分类号：C25B1/04
分类号：C25B1/04;C25B1/55;C25B11/036;C25B11/02;C25B11/042;C25B11/04;H01G9/20;H01G9/042
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明公开了一种基于InGaN纳米柱阵列的自偏压光电催化体系及其应用，包括以下组件：光阳极和光阴极；光阳极包括InGaN纳米柱阵列的单电极与Si基太阳能电池的集成、InGaN纳米柱阵列的双电极与Si基太阳能电池的集成、InGaN纳米柱阵列的单电极和InGaN纳米柱阵列的双电极中的至少一种；光阴极包括InGaN纳米柱光阴极和铂电极中的至少一种。通过模拟太阳光照射光电极实现自偏压光电催化产氢。本发明使用基于InGaN纳米柱阵列的自偏压光电催化体系，能拓宽光谱吸收、提高水分解所需光电压，实现自偏压光电水分解产氢，为利用太阳能大规模制备氢能源提供有效策略。
主权项：1.一种基于InGaN纳米柱阵列的自偏压光电催化体系，其特征在于，包括以下组件：光阳极和光阴极；所述光阳极包括InGaN纳米柱阵列的单电极与Si基太阳能电池的集成、InGaN纳米柱阵列的双电极与Si基太阳能电池的集成、InGaN纳米柱阵列的单电极和InGaN纳米柱阵列的双电极中的至少一种；所述光阳极中，所述InGaN纳米柱阵列包括衬底、衬底上的MXene层、生长在MXene层上的InGaN纳米柱，所述光阴极包括InGaN纳米柱光阴极和铂电极中的至少一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 五邑大学 一种基于（In）GaN纳米柱阵列的自偏压光电催化体系及其应用
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