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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2019-11-08
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN111883554B
主分类号：H10B61/00
分类号：H10B61/00;H10B63/10;H10B51/20;H10B20/00;H01L23/528
优先权：["20190503 KR 10-2019-0052473"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2020.11.20#实质审查的生效;2020.11.03#公开
摘要：提供了一种电子设备。一种半导体存储器包括：在第一方向上延伸的第一列线；在第二方向上延伸的第一行线；位于第一行线与第一列线之间的第一存储单元；电连接至第一列线的第二列线；在第二方向上延伸的第二行线；位于第二行线与第二列线之间的第二存储单元。第一列线和第二列线可以在第三方向上彼此重叠。在第一区域中，第二行线上的电流路径比第二区域中第二行线上的电流路径短。属于第一区域的第二列线与第一列线的重叠率可以比属于第二区域的第二列线与另一个第一列线的重叠率小。
主权项：1.一种包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：第一列线，其在第一方向上延伸；第一行线，其在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；第一存储单元，其位于所述第一行线与所述第一列线之间；第二列线，其电连接至所述第一列线，所述第二列线在所述第一方向上延伸；第二行线，其在所述第二方向上延伸；以及第二存储单元，其位于所述第二行线与所述第二列线之间，其中，所述第一列线和所述第二列线在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上彼此重叠，其中，第一个第二列线属于如下区域：在该区域中所述第二行线上的电流路径比在第二个第二列线所属的区域中所述第二行线上的电流路径短，以及其中，所述第一个第二列线与第一个第一列线的重叠率小于所述第二个第二列线与第二个第一列线的重叠率。
全文数据：
权利要求：
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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