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申请/专利权人：惠科股份有限公司
申请日：2024-03-14
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213324A
主分类号：H01L21/77
分类号：H01L21/77;G02F1/1362;H01L27/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本申请提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板，其中，该方法包括在衬底基板上形成栅极层，栅极层包括自下而上层叠设置的第一子栅极层和第二子栅极层；在衬底基板和栅极层的上方依次形成绝缘层、半导体层以及源漏极层，源漏极层包括自下而上层叠设置的第一子源漏极层和第二子源漏极层；其中，第一子栅极层采用第一沉积速率形成，第一子源漏极层采用第二沉积速率形成，第一沉积速率小于第二沉积速率；在源漏极层和绝缘层的上方形成钝化层；在钝化层上形成像素电极层。本申请提供的技术方案可以增大栅极层的锥角角度，降低栅极层的阻值，提高阵列基板的充电率，并且，可以减小源漏极层的锥角角度，减少爬坡断线的情况，提高产品良率。
主权项：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成栅极层，所述栅极层包括自下而上层叠设置的第一子栅极层和第二子栅极层；在所述衬底基板和所述栅极层的上方依次形成绝缘层、半导体层以及源漏极层，所述源漏极层包括自下而上层叠设置的第一子源漏极层和第二子源漏极层；其中，所述第一子栅极层采用第一沉积速率形成，所述第一子源漏极层采用第二沉积速率形成，所述第一沉积速率小于所述第二沉积速率；在所述源漏极层和所述绝缘层的上方形成钝化层；在所述钝化层上形成像素电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 惠科股份有限公司 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板
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