申请/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室

申请日：2021-03-24

公开（公告）日：2024-06-11

公开（公告）号：CN115124341B

主分类号：C04B35/50

分类号：C04B35/50;C04B35/44;C04B35/622;C04B35/64;C09K11/80;F21V9/30;F21Y115/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.11#授权;2022.10.25#实质审查的生效;2022.09.30#公开

摘要：本发明公开了一种增强单基质白光LED陶瓷荧光体及其制备方法和应用，该荧光体的化学式为zwt％Al2O3‑100‑zwt％Lu3‑xAl5‑2yO12:xCe3+，yMn2+，ySi4+，其中x为Ce3+占据Lu3+位的掺杂量，0x≤0.05；y为红光离子Mn2+占据Al3+位的掺杂量，0y≤0.5，并协同掺入与Mn2+等量的Si4+作电荷补偿；z为第二相增强相Al2O3的质量分数，0z≤50。本发明的陶瓷荧光体具有从绿光到红光的500～750nm光谱发射，且与蓝光LED芯片封装后可实现高显色指数和高光效的白光发射，且本发明制备工艺简单，易于工业化生产。

主权项：1.一种荧光陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：（1）粉体预处理：按照化学式zwt%Al2O3-100-zwt%Lu3-xAl5-2yO12:xCe3+，yMn2+，ySi4+中各元素的化学计量比称取Al2O3与Lu2O3、CeO2、MnO以及SiO2，其中：x为Ce3+占据Lu3+位的掺杂量，x=0.001、0.002、0.003；y为红光离子Mn2+占据Al3+位的掺杂量，y=0.05、0.06、0.07；并协同掺入与Mn2+等量的Si4+作电荷补偿，Si4+掺杂进入Al3+位；zwt%为增强相Al2O3的质量分数，z=1、10、20、50；经球磨得到分散、均匀的浆料；浆料经干燥、过筛，得到混合粉体；球磨所用的介质为无水乙醇；所述球磨的时间为18~24h；所述过筛采用的筛网孔径为100~200目；所述干燥的温度为50~70℃，时间为6~12h；（2）素坯压制：将步骤（1）得到的混合粉体放入模具中干压成型，再冷等静压成型，冷等静压成型的压力为150~250MPa，保压时间为0.5~5min，得到素坯；（3）排胶：所述素坯在马弗炉中650~800℃煅烧4~8h除去残留有机物，后转移至还原气氛中进行二次煅烧，二次煅烧温度为650~800℃时间为4~8h；所述的还原气氛为N2-H2混合气；N2-H2混合气中N2:H2的体积比=（80~95）:（20~5）；（4）荧光体陶瓷烧制：将排胶后的素坯用高温煅烧处理后的氧化物粉体均匀铺洒在素坯的上表面和下表面，对素坯进行包埋，经真空固相烧结，得到所述荧光陶瓷材料；所述真空固相烧结的温度为1680~1750℃，时间为0.5~3h；所述用高温煅烧处理后的氧化物粉体中的高温煅烧处理的温度为1650~1750℃，时间为8~12h；包埋素坯所用的氧化物粉体选自Y2O3；所述荧光陶瓷材料以下述化学式表示： zwt%Al2O3-100-zwt%Lu3-xAl5-2yO12:xCe3+，yMn2+，ySi4+其中：x为Ce3+占据Lu3+位的掺杂量，x=0.001、0.002、0.003； y为红光离子Mn2+占据Al3+位的掺杂量，y=0.05、0.06、0.07；并协同掺入与Mn2+等量的Si4+作电荷补偿，Si4+掺杂进入Al3+位； zwt%为增强相Al2O3的质量分数，z=1、10、20、50。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室 一种增强单基质白光LED陶瓷荧光体及其制备方法和应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD