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申请/专利权人：苏州清研半导体科技有限公司
申请日：2023-11-28
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN117587361B
主分类号：C23C14/18
分类号：C23C14/18;C23C14/06;C23C14/35
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开
摘要：本申请涉及碳化钽涂层的制备方法，包括：S1、将碳基基材放入磁控溅射设备的腔室内的基台上；S2、将腔室抽取真空，并充入气氛；S3、驱动基台旋转，启动钽靶，在碳基基材上沉积第一涂层至第一沉积时间；S4、维持钽靶功率，引入碳源并逐渐增加碳原子含量，在第一涂层上沉积第二涂层至第二沉积时间；S5、维持钽靶功率和碳原子含量，在第二涂层上沉积第三涂层至第三沉积时间，得到具有涂层的碳基基材；S6、将具有涂层的碳基基材取出后放入高温炉进行保温处理使得碳基基材、第一涂层、第二涂层和第三涂层中的碳和钽反应，得到致密且应力小的碳化钽涂层，同时碳化钽涂层与碳基基材的结合强度大，该制备方法成本低，能够在较短时间内完成。
主权项：1.一种碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，包括：S1、将碳基基材放入磁控溅射设备的腔室内的基台上；S2、将腔室抽取真空，并充入气氛；S3、驱动所述基台旋转，启动钽靶，在所述碳基基材上沉积第一涂层至第一沉积时间；S4、维持钽靶功率，引入碳源并逐渐增加碳原子含量，在所述第一涂层上沉积第二涂层至第二沉积时间；S5、维持钽靶功率和碳原子含量，在所述第二涂层上沉积第三涂层至第三沉积时间，得到具有涂层的碳基基材；S6、将所述具有涂层的碳基基材取出后放入高温炉进行保温处理使得碳基基材、第一涂层、第二涂层和第三涂层中的碳和钽反应，在所述碳基基材上得到碳化钽涂层；所述第一沉积时间为0.5h-10h；所述第二沉积时间为0.5h-10h；所述第三沉积时间为0.5h-10h。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州清研半导体科技有限公司 一种碳化钽涂层的制备方法
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