申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN118198022A

主分类号：H01L23/495

分类号：H01L23/495;H01L23/538

优先权：["20221214 DE 102022213629.2"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.14#公开

摘要：本发明涉及一种功率模块1，具有第一电路载体10和第二电路载体20，其中，第一电路载体在第一侧具有布置在电绝缘层上的功率导体结构，形成第一功率平面LE1，功率导体结构的外部接触区域布置在第一功率平面中，第二电路载体在空间上平行于第一电路载体布置并且在面向第一电路载体的第一侧具有布置在电绝缘层上的另外的功率导体结构，形成第二功率平面LE2，其中，另外的功率导体结构在内部接触区域上与第一电路载体的功率导体结构的内部接触区域电连接，其中，在第二电路载体的第二侧，控制信号导体结构布置在电绝缘层上形成信号平面SE，其中，至少两个半导体开关30的功率端子布置在第一功率平面的另一个导体结构与第二功率平面的功率导体结构之间并且电接触，半导体开关的控制端子与第二电路载体的控制信号导体结构电连接。

主权项：1.功率模块1，具有第一电路载体10和至少一个第二电路载体20，其中，所述第一电路载体在第一侧上具有布置在电绝缘层12上的多个功率导体结构14，16，18，所述功率导体结构形成第一功率平面LE1，所述功率导体结构14，16，18的外部接触区域14.2，16.2，18.2布置在所述第一功率平面中，其中，所述至少一个第二电路载体20在空间上平行于所述第一电路载体10地布置并且在面向所述第一电路载体10的第一侧的第一侧上具有布置在电绝缘层20.1上的至少一个另外的功率导体结构21，所述至少一个另外的功率导体结构形成第二功率平面LE2，其中，所述至少一个第二电路载体20的所述至少一个另外的功率导体结构21在内部接触区域21.1上与所述第一电路载体10的所述功率导体结构14，16，18中的一个功率导体结构的内部接触区域16.1，18.1电连接，其中，在所述至少一个第二电路载体20的第二侧上，至少一个控制信号导体结构23布置在所述电绝缘层20.1上并且形成信号平面SE，其中，至少两个半导体开关30的功率端子32，34布置在第一电路载体10的第一功率平面LE1的所述功率导体结构14，16，18中的另一个功率导体结构与所述至少一个第二电路载体20的第二功率平面LE2的所述至少一个功率导体结构21之间并且电接触，其中，所述至少两个半导体开关30的控制端子36，38与所述至少一个第二电路载体20的所述至少一个控制信号导体结构23电连接。

全文数据：

权利要求：

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