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申请/专利权人：江苏捷创新材料有限责任公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118178701A
主分类号：A61L2/18
分类号：A61L2/18;A61L2/22;A61L2/26;B08B3/04;F26B21/00;F26B3/28;A61L101/22
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种电子半导体用双氧水消毒方法，包括以下步骤S1：提供含有电子半导体设备的工作区域,步骤S2：准备双氧水溶液,步骤S3：喷洒双氧水溶液,步骤S4：气溶胶化处理,步骤S5：保持接触时间,步骤S6：清洗和干燥,步骤S7：清理工作区域；本发明的有益效果是：适当的浓度可以在保证杀菌效果的同时避免对电子半导体设备造成不必要的腐蚀或损害；采用喷洒或喷淋方式均匀覆盖电子半导体设备表面，确保双氧水溶液全面覆盖并保持一定时间，通过气溶胶化处理提高在设备表面的覆盖和渗透效果；通过超声波震荡实现气溶胶化处理，确保双氧水溶液均匀细微地转化为气雾状态，提高在设备表面的覆盖和渗透效果，从而增强消毒效果。
主权项：1.一种电子半导体用双氧水消毒方法，包括以下步骤S：步骤S1：提供含有电子半导体设备的工作区域，确保工作区域环境干净，并控制温度在15°C至35°C之间，以适应双氧水消毒的需求；步骤S2：准备双氧水溶液选择适当浓度的双氧水溶液，控制其浓度在3%至10%之间，以确保有效杀灭微生物和细菌；步骤S3：喷洒双氧水溶液将准备好的双氧水溶液以喷洒或喷淋的方式均匀覆盖电子半导体设备表面，确保全面覆盖并保持一定时间，以达到彻底消毒效果；步骤S4：气溶胶化处理对双氧水溶液进行气溶胶化处理，将其转化为微粒状气雾状态，以提高在设备表面的覆盖和渗透效果；步骤S5：保持接触时间保持双氧水溶液与电子半导体设备表面的接触时间在15分钟至60分钟之间，确保彻底消毒；步骤S6：清洗和干燥使用清洁的水或适当的溶液对电子半导体设备进行清洗，随后进行干燥处理，确保设备表面干净无残留；步骤S7：经过以上的消毒操作之后，使用过滤通风系统将工作区域内的残余双氧水的气体和水分去除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏捷创新材料有限责任公司 一种电子半导体用双氧水消毒方法
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