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申请/专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日：2022-10-18
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118201939A
主分类号：C07F7/18
分类号：C07F7/18;C23C16/36;C23C16/40;C23C16/455
优先权：["20211021 US 63/270,379"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：公开了一种可用于通过原子层沉积ALD或化学气相沉积CVD工艺将低介电常数低k绝缘材料沉积到半导体器件的高纵横比间隙、沟槽、通孔和其他表面特征中的组合物。第一组合物可包含烷氧基硅烷二醇。硅烷二醇的基于烷氧基的取代基可以是具有3至10个碳原子的支链或环状烷基。在另一情况中，组合物可包含烷氧基硅烷醇。硅烷醇的基于烷氧基的取代基可以是具有3至10个碳原子的支链或环状烷基。
主权项：1.一种由下式表示的烷氧基硅烷二醇化合物： 其中R1是具有3至10个碳原子的支链或环状烷基；并且其中R2是具有3至10个碳原子的支链或环状烷基。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 弗萨姆材料美国有限责任公司 硅烷醇和硅烷二醇
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