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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日：2023-10-20
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198119A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/28
优先权：["20221214 US 18/065674"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本公开涉及一种具有稳健的栅极的增强模式晶体管和方法。所公开的结构包括增强模式高电子迁移率晶体管HEMT。HEMT包括势垒层和栅极，势垒层具有横向地定位在薄部分之间的厚部分。栅极包括位于势垒层的厚部分上并且具有横向地定位在薄部分之间的厚部分的半导体层例如，P型III‑V族半导体层。栅极还包括位于半导体层上并且比半导体层的厚部分窄的栅极导体层，使得栅极的端壁呈台阶状。靠近这些端壁的势垒层的薄部分最小化或消除了在下方的沟道层中的电荷建立。为了阻断围绕栅极的电流路径，隔离区可以位于偏离半导体层的势垒层的薄部分下方。该结构还可以包括交替的e模式和d模式HEMT。另外还公开了相关联的方法实施例。
主权项：1.一种结构，包括：势垒层，其具有第一势垒部分和第二势垒部分，其中，所述第一势垒部分横向地定位在所述第二势垒部分之间并且比所述第二势垒部分厚；以及栅极，其包括：位于所述第一势垒部分上的半导体层，其中，所述半导体层具有在所述第一势垒部分上方的第一半导体部分和第二半导体部分，并且其中，所述第一半导体部分横向地定位在所述第二半导体部分之间并且比所述第二半导体部分厚；以及位于所述第一半导体部分上的栅极导体层，其中，所述第一半导体部分比所述栅极导体层宽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有稳健的栅极的增强模式晶体管和方法
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