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申请/专利权人：中山大学;郑州中南杰特超硬材料有限公司
摘要：本发明公开了一种基于立方氮化硼c‑BN单晶材料的肖特基二极管，其制备方法包括以下步骤：将清洗后的块状c‑BN单晶四周用胶带覆盖住，只漏出待镀电极的区域，在块状c‑BN单晶一侧表面沉积Au金属电极，然后撕下胶带；在手套箱中把锂片表面氧化层刮掉，再放置到PCB板表面镀有Ag的一侧，将块状c‑BN单晶中没有镀Au的一侧紧贴在锂片上；采用金属细线将PCB板的Ag电极与块状c‑BN单晶的Au电极连接起来，固定；完成电化学掺杂后，在c‑BN晶体的锂掺杂一侧沉积Au金属电极。本发明中，在c‑BN表面引入锂原子，其能级定位于浅能级，从而有效改善了金属与c‑BN之间的界面接触质量。这种改进通过减少界面态密度，进一步降低了c‑BN单晶与金属间的接触势垒ΦB。
主权项：1.一种基于立方氮化硼c-BN单晶材料的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1对块状c-BN单晶进行清洗；2将清洗后的块状c-BN单晶四周用胶带覆盖住，只漏出待镀电极的区域，用磁控溅射金属靶材的方法在块状c-BN单晶一侧表面沉积Au金属电极，然后撕下胶带；3在手套箱中用绝缘性镊子把锂片表面氧化层刮掉，再放置到PCB板表面镀有Ag的一侧，再将块状c-BN单晶中没有镀Au的一侧紧贴在锂片上；4采用金属细线将PCB板的Ag电极与块状c-BN单晶的Au电极连接起来，然后用绝缘夹将其固定；完成电化学掺杂后，进一步在c-BN晶体的锂掺杂一侧利用磁控溅射沉积Au金属电极，从而制备出肖特基二极管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 郑州中南杰特超硬材料有限公司 一种基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基二极管
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