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申请/专利权人：天水天光半导体有限责任公司
摘要：本发明公开了一种小电容肖特基二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该小电容肖特基二极管包括外延片、分别设置于外延片正面和反应的正面结构及反面结构；正面结构包括TiSi2层、TiN层、Ti层、Al层、SiO2钝化层及Si3N4钝化层；反面结构包括Ti金属层等。该肖特基二极管电容较小，反向击穿电压较高，漏电流较低。其制备方法包括：对RCA清洗后的外延片进行初始氧化处理、掺氯氧化处理、干氧氧化处理、一次光刻、形成Ti金属层、二次光刻、形成硅化物、Ti硅化物腐蚀、正面金属蒸发、正面金属反刻、形成Al合金层、形成钝化层、钝化层光刻、背面减薄、背面腐蚀和背面金属蒸发，该方法容易操作，可工业化生产。
主权项：1.一种小电容肖特基二极管，其特征在于，所述小电容肖特基二极管包括外延片、设置于所述外延片正面的正面结构以及设置于所述外延片反面的反面结构；其中，所述外延片为掺As的Si衬底；所述正面结构包括于所述外延片的正面由内至外设置的TiSi2层、TiN层、Ti层、Al层、SiO2钝化层以及Si3N4钝化层；所述反面结构包括于所述外延片的反面由内至外依次设置的Ti金属层、Ni金属层、SnCu合金层以及Au金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天水天光半导体有限责任公司 一种小电容肖特基二极管及其制造方法
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