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申请/专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种应用于低压沟槽肖特基二极管的沟槽制备方法。其包括以下步骤：步骤一，取包含有N型衬底并在衬底上生长外延层的硅基片，在外延层上淀积一层一次氧化层；步骤二，将光刻胶作为掩蔽层对一次氧化层的刻蚀区域采用干法刻蚀去除，且通过调整气体流量将刻蚀形貌由垂直结构改变为上宽下窄的倒八结构；步骤三，将一次氧化层作为掩蔽层，采用干法刻蚀进行硅沟槽刻蚀；步骤四，在硅沟槽内壁淀积一层二次氧化层；步骤五，在二次氧化层外淀积一层氮化硅层；步骤六，淀积一层多晶硅层将硅沟槽内部填充满。本发明通过将沟槽掩蔽层氧化层的刻蚀形貌进行调整，形成倒八结构来获取更细的沟槽线条，设备上解决光刻机线条精度不高的问题。
主权项：1.一种应用于低压沟槽肖特基二极管的沟槽制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一，取包含有N型衬底并在衬底上生长外延层的硅基片，在外延层上淀积一层一次氧化层；步骤二，通过光刻工艺将光刻胶作为掩蔽层对一次氧化层的刻蚀区域采用干法刻蚀去除，且通过调整气体流量将刻蚀形貌由垂直结构改变为上宽下窄的倒八结构；干法刻蚀条件，四氟化碳流量为25sccm-35sccm，三氟甲烷流量为80sccm-110sccm，氩气流量为90sccm-110sccm；步骤三，将一次氧化层作为掩蔽层，采用干法刻蚀进行硅沟槽刻蚀；步骤四，在硅沟槽内壁淀积一层二次氧化层；步骤五，在二次氧化层外淀积一层氮化硅层；步骤六，淀积一层多晶硅层将硅沟槽内部填充满，并采用刻蚀工艺使硅沟槽内的多晶硅层与外延层在同一平面；步骤七，采用光刻的方法将光刻胶作为掩蔽层刻蚀硅基片表面的一次氧化层、二次氧化层、氮化硅层、多晶硅层，刻蚀出用于后续与外延层形成肖特基结的窗口。
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