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一种肖特基结的光电二极管及其制备方法和应用 

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申请/专利权人:华南师范大学

摘要:本发明涉及一种肖特基结的光电二极管及其制备方法和应用,包括设置有绝缘层的导电基底、设置于所述绝缘层上的二维拓扑半金属纳米片层PtTe2和二维半导体纳米片层WSe2,二维半金属纳米片层PtTe2和二维半导体纳米片层WSe2之间部分重叠形成范德华肖特基结,第一电极和第二电极分别设置于二维半金属纳米片层PtTe2和二维半导体纳米片层WSe2上,二维半导体纳米片层WSe2的功函数与二维半金属纳米片层PtTe2的功函数相差0.1eV左右,在一定波长的光照下,导电基底上施加一定范围的电压,该光电二极管呈现优秀的正负光伏响应。

主权项:1.一种肖特基结的光电二极管,其特征在于,包括导电基底、设置于所述导电基底上的绝缘层、设置于所述绝缘层上的二维拓扑半金属纳米片层PtTe2和二维半导体纳米片层WSe2,所述二维半金属纳米片层PtTe2和所述二维半导体纳米片层WSe2之间部分重叠形成范德华肖特基结,所述范德华肖特基结中,所述二维半金属纳米片层PtTe2与所述绝缘层邻接设置;第一电极设置于所述二维半金属纳米片层PtTe2上远离所述二维半导体纳米片层WSe2的一侧,第二电极设置于所述二维半导体纳米片层WSe2上远离所述二维半金属纳米片层PtTe2的一侧;所述二维半导体纳米片层WSe2的功函数与所述二维半金属纳米片层PtTe2的功函数相差0.1±0.05eV,在一定波长的光照下,所述导电基底上施加一定范围的电压,所述光电二极管呈现正负光伏响应。

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