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申请/专利权人：西南技术物理研究所
申请日：2023-12-10
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118186584A
主分类号：C30B29/22
分类号：C30B29/22;C30B28/02;C30B33/02;C30B15/20;H01S3/16;C09K11/67
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明属于光电子材料技术领域，公开了一种掺杂镱钙铌镓石榴石晶体，其分子式为Yb：Ca3Nb1.665～1.710Ga3.150～3.22O12，为石榴石型结构，属于立方晶系，晶格常数晶胞体积为本发明Yb：CNGG晶体生长温度较低，可用铂金或者铱金坩埚在空气中直接生长，简化了长晶步骤；并且熔体温度波动较小，熔体中的Ga2O3挥发较少，再加上Ga2O3过量加入1～2mol％，Yb2O3在晶体头、中、尾部的浓度几乎无变化，生长过程组分偏析小，结构缺陷少，结构完整，晶体质量提高。
主权项：1.一种掺杂镱钙铌镓石榴石晶体，其特征在于，分子式为Yb：Ca3Nb1.665～1.710Ga3.150～3.22O12，为石榴石型结构，属于立方晶系，晶格常数晶胞体积为
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西南技术物理研究所 掺杂镱钙铌镓石榴石晶体及其制备方法
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