龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
摘要：本申请公开了一种沟槽型MOSFET及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，位于所述衬底上；以及位于所述衬底之上的多个元胞结构，所述元胞结构包括：栅极沟槽，所述栅极沟槽彼此分离且呈现多边形分布；栅极导体，位于所述栅极沟槽内，经由栅介质层与所述外延层隔离；重掺杂区，所述重掺杂区是在所述栅极沟槽围成的多边形区域内的外延层中进行第二导电类型的重掺杂注入所形成，且掺杂注入深度大于所述栅极沟槽深度；第二导电类型的体区，位于相邻的栅极沟槽之间的外延层内；第一导电类型的源区，位于所述体区内且与所述栅极沟槽邻接。
主权项：1.一种沟槽型MOSFET，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，位于所述衬底上；以及位于所述衬底之上的多个元胞结构，所述元胞结构包括：栅极沟槽，所述栅极沟槽彼此分离且呈现多边形分布；栅极导体，位于所述栅极沟槽内，经由栅介质层与所述外延层隔离；重掺杂区，所述重掺杂区是在所述栅极沟槽围成的多边形区域内的外延层中进行第二导电类型的重掺杂注入所形成，且掺杂注入深度大于所述栅极沟槽深度；第二导电类型的体区，位于相邻的栅极沟槽之间的外延层内；第一导电类型的源区，位于所述体区内且与所述栅极沟槽邻接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州芯迈半导体技术有限公司 一种沟槽型MOSFET及制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号