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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-02-07
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118192174A
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20;G03F1/36
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明提供一种光刻胶扩散效应的计算方法，根据光刻系统的光学系统的照明源确定光刻系统的光学系统的透射交叉系数；光学系统的透射交叉系数为与光罩形状无关的四维函数，其用于表征从照明源到像平面在内的整个光学系统的作用；执行光罩中布局图案的光学邻近校正操作，其中光学邻近校正操作使用光学系统的透射交叉系数来确定晶圆上的光罩的布局图案的第一空间光强图像；利用第一空间光强图像与一个高斯滤波器进行卷积获取第二空间光强图像。本发明的修正方法得到的图形修正的轮廓更为接近实际晶圆曝光结果，精度更高，运行时间更短。
主权项：1.一种光刻胶扩散效应的计算方法，其特征在于，至少包括：步骤一、根据光刻系统的光学系统的照明源确定所述光刻系统的所述光学系统的透射交叉系数；所述光学系统的透射交叉系数为与光罩形状无关的四维函数，其用于表征从所述照明源到像平面在内的整个所述光学系统的作用；步骤二、执行所述光罩中布局图案的光学邻近校正操作，其中所述光学邻近校正操作使用所述光学系统的透射交叉系数来确定晶圆上的所述光罩的所述布局图案的第一空间光强图像；步骤三、利用所述第一空间光强图像与一个高斯滤波器进行卷积获取第二空间光强图像。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 光刻胶扩散效应的计算方法
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