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申请/专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日：2022-12-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231230A
主分类号：H01L21/223
分类号：H01L21/223;H01L21/02;H01L31/18;H01L31/0288;C30B33/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种硅片及其磷扩散方法、太阳能电池，涉及太阳能电池领域。其中，磷扩散方法包括：提供硅片，将其加载至扩散炉的炉腔中；将炉腔升温至760‑775℃，进行一次氧化；将炉腔升温至775‑790℃，进行一次沉积；维持炉腔温度为775‑790℃，进行二次氧化；将炉腔升温至820‑850℃，进行有氧推进；将炉腔降温至760‑780℃，进行无氧推进；维持炉腔温度为760‑780℃，进行二次沉积；将炉腔降温，并取出硅片；其中，一次氧化、二次氧化时氧气流量大于有氧推进时的氧气流量；二次氧化的温度大于一次氧化的温度。实施本发明，可提升方阻均匀性，提升转换效率。
主权项：1.一种硅片磷扩散方法，其特征在于，包括：1提供硅片，将所述硅片加载至扩散炉的炉腔中；2将所述炉腔升温至760-775℃，并通入大氮、小氮和氧气，以对所述硅片进行一次氧化；3将所述炉腔升温至775-790℃，并通入大氮、小氮和氧气，以对一次氧化后的硅片进行一次沉积；4维持所述炉腔的温度为775-790℃，并通入大氮、小氮和氧气，以对在一次沉积后硅片进行二次氧化；5将所述炉腔升温至820-850℃，并通入大氮、小氮、和氧气，以对二次氧化后的硅片进行有氧推进；6将所述炉腔降温至760-780℃，并通入大氮、小氮，以对有氧推进后的硅片进行无氧推进；7维持炉腔温度为760-780℃，并通入大氮、小氮和氧气，以进行二次沉积；8将所述炉腔降温，并取出硅片；其中，一次氧化、二次氧化过程中所通入氧气的流量大于有氧推进过程中通入氧气的流量；二次氧化的温度大于一次氧化的温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 硅片及其磷扩散方法、太阳能电池
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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