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申请/专利权人：南京邮电大学
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234262A
主分类号：H10K30/65
分类号：H10K30/65;H10K85/60;H10K85/10;H10K71/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明属于半导体行业存储技术、有机电子和信息技术领域，尤其涉及一种具有负光电导效应的有机光敏型场效应晶体管的制备方法及其应用。所述的具有负光电导效应的有机光敏型场效应晶体管从下到上包括栅电极、栅绝缘层、有机光敏电荷俘获层、有机光敏半导体层和源漏电极。与传统的光电晶体管不同，该有机光敏型场效应晶体管通过设计双光敏层结构，成功实现了负光电导现象即在光信号下导电沟道的光电流减小。本发明采用简单的旋涂工艺制备有机光敏电荷俘获层，制备工艺简单，大大降低了器件的制备成本，具有很大的商业价值。本发明将光感，数据存储和计算功能集成在同一器件中，利用负光电导效应实现了非易失性的光电逻辑门。
主权项：1.一种具有负光电导效应的有机光敏型场效应晶体管，其特征在于，所述有机光敏型场效应晶体管，包括源漏电极、有机光敏半导体层、有机光敏电荷俘获层、栅绝缘层以及栅极；所述有机光敏电荷俘获层的制备材料为具有较强电荷存储能力的有机光敏驻极体材料，所述具有较强电荷存储能力指的是有机光敏驻极体材料的电荷存储密度超过4×1012cm-2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 一种具有负光电导效应的有机光敏型场效应晶体管的制备方法及其应用
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