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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日：2024-02-26
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198131A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明涉及一种全包围栅铁电场效应晶体管及其制备方法，其特点在于设置沟道区，跨设于所述空腔之上，通过在沟道区处生长全包围栅铁电极介质层，形成全包围栅铁电场效应晶体管，使其具有优秀的电荷输运控制能力，且制备工艺兼容传统CMOS工艺节点，具有良好的市场应用前景。
主权项：1.一种全包围栅铁电场效应晶体管器件，包括：衬底层；绝缘层，位于所述衬底层上，所述绝缘层的上表面为凸出的绝缘结构，于所述绝缘结构之间界定出凹槽；沟道区，跨于所述凹槽之上；沟道区包含多个沟道组成的阵列，所述沟道阵列由多个纳米片或纳米线构成；环绕式栅结构，其环绕于所述纳米沟道周围；包括所述沟道区的表面依次形成的界面层、铁电栅极介质层和金属栅电极层；所述金属栅电极层延伸进入所述凹槽位于所述沟道区下方，所述金属栅电极层还包括堆叠于所述沟道区前后两侧以及堆叠于所述沟道上方的部分；源区和漏区，设置于所述绝缘层上，分别连接于所述沟道区的两端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种全包围栅铁电场效应晶体管及其制备方法
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